已知电路参数如图题4.4.3所示,FET工作点上的gm=1mS,设rdm> Rd。(1)画出电路的小信
号等效电路;(2)求电压增益AF;(3)求放大器的输入电阻Ri。
号等效电路;(2)求电压增益AF;(3)求放大器的输入电阻Ri。
已知电路参数如图题5.2.9所示,FET工作点上的互导gm=1mS,设。(1)画出电路的小信号等效电路;(2)求电压增益Av;(3)求放大电路的输入电阻Ri。
电路如图题6.2.9 所示,输人信号电压,当电路中T1 ~T4。参数已知gml =gm2, gm3=gm4,rdsl =rds2,rds3=rds4,证明电路的电压增益为
A.图(c),-10,2075 kW
B.图(b),-3.3,2075 kW
C.图(b),-10,2075 kW
D.图(c),-3.3,2075 kW
场效应管参数为Kn1=Kn2=1.2mA/V2,VTN1= VTN2=1.9V,λ1=λ2=0。试求该电路的电压增益。
A.图(c),-10,2075 kW
B.图(b),-3.3,2075 kW
C.图(b),-10,2075 kW
D.图(c),-3.3,2075 kW
集成DAC器件AD7520电路如图题8.6所示,其应用电路如图题8.9所示。已知AD7520参数:电源电压为+5V~+15V,分辨率为10位,稳定时间为500ns。为得到±5V的最大输出模拟电压,试确定基准电压VREF、偏移电压VB及偏移电阻RB,并列出高三位(含符号位)输入输出对照表。
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