如图所示,下列说法正确的有: [图][图]A、这是耗尽型MOS...
如图所示,下列说法正确的有:
A、这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线,其中A区为饱和区,B区为线性工作区
B、这是耗尽型MOSFET的转移特性曲线,其中A区为饱和区,B区为线性工作区。
C、这是增强型MOSFET的输出特性曲线,其中A区为可变电阻区,B区为饱和区。
D、这是增强型MOSFET的转移特性曲线,其中A区为可变电阻区,B区为恒流区。
E、这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线,其中C区为截止区,D区为击穿区。
F、这是增强型MOSFET的输出特性曲线,其中C区为截止区,D区为击穿区。
G、这是增强型MOSFET的输出特性曲线,其中C区为击穿区,D区为截止区。
H、这是耗尽型MOSFET的转移特性曲线,其中C区为截止区,D区为击穿区。
I、这是增强型MOSFET的输出特性曲线,其中A区为可变电阻区,B区为线性放大区。