题目内容
（请给出正确答案）
A.本征半导体是纯净的具有晶体结构的半导体
B.本征半导体导电能力很弱
C.本征半导体硅或者锗中参入五价元素（比如磷），则变为N型半导体
D.在P型半导体中.自由电子是多数载流子，空穴则是少数载流子
参考答案
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A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
A.本征半导体的载流子浓度来源于本征激发
B.本征半导体，电子浓度等于空穴浓度
C.本征半导体的载流子浓度与温度无关
D.一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小
A.本征半导体是一块没有杂质和缺陷的半导体
B.本征半导体的费米能级位于禁带的中线附近
C.本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
D.本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降
A.化学成分纯净的半导体
B.在绝对零度（0K）时，本征半导体中没有载流子
C.温度一定时，本征激发和复合达到动态平衡
D.自由电子的数目大于空穴的数目
E.温度变化时，自由电子和空穴数目变化一样
A.本征半导体受到热激发，会产生自由电子；
B.本征半导体中，电子和空穴总是成对产生；
C.温度越高，本征半导体中电子和空穴浓度越高；
D.本征半导体中的电子和空穴浓度不受外界环境影响。
A.自由电子数目增多，空穴数目不变
B.自由电子和空穴数目增加相同
C.自由电子数目不变，空穴增多
D.自由电子数目增多，空穴数目减少
A.在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降
B.硅的电导率对外界因素(如光、热、磁等)高度敏感
C.N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子
D.N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多
A.本征半导体就是不掺杂的半导体
B.本征半导体中的载流子是由于本征激发产生的
C.本征激发产生的载流子多少只和温度有关
D.本征激发产生的电子和空穴总是一样多
A.半导体分为：本征半导体、P型半导体和N型半导体$
B.$P型半导体内多子是空穴，少子是电子$
C.$N型半导体是在本征半导体中加了三价元素硼$
D.$半导体材料主要有：硅和锗
A.半导体分为：本征半导体、P型半导体和N型半导体$
B.$P型半导体内少子是空穴，多子是电子$
C.$N型半导体是在本征半导体中加了三价元素硼$
D.$半导体材料主要有：硅和锗
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