A.n型简并半导体,导带中的电子服从费米分布函数
B.p型简并半导体,价带中的空穴服从费米分布函数
C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带
D.n型简并半导体,导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
E.p型简并半导体,价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
F.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
A.n型简并半导体,导带中的电子服从费米分布函数
B.p型简并半导体,价带中的空穴服从费米分布函数
C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带
D.n型简并半导体,导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
E.p型简并半导体,价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
F.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
A.n型简并半导体,导带中的电子服从费米分布函数
B.p型简并半导体,价带中的空穴服从费米分布函数
C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带
D.n型简并半导体,导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
E.p型简并半导体,价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
F.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
A.导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
B.价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
C.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
D.导带中的电子服从费米分布函数
E.价带中的空穴服从费米分布函数
F.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带
A.导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
B.价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
C.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
D.导带中的电子服从费米分布函数
E.价带中的空穴服从费米分布函数
F.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带
A.导带中电子占据量子态只服从玻尔兹曼分布
B.导带中电子占据量子态服从玻尔兹曼分布和费米分布
C.导带中电子占据量子态只服从费米分布
D.半导体处于简并状态
A.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度
B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度
C.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度
D.施主杂质的浓度等于受主杂质的浓度
E.电子浓度和空穴浓度均为0
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