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提问人:网友yangpan98 发布时间:2022-01-07
[主观题]

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子,两区内的电荷量相等,

如习题7-23图所示。取x轴的原点在pn结的交界面上,p区的范围和n区的范围在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子,两区内的电荷量相等,如习,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子,两区内的电荷量相等,如习,并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。(提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子,两区内的电荷量相等,如习

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第1题
pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。()

此题为判断题(对,错)。

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第2题
PN结外加正向电压时,下面错误的说法是( )。

A、N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合,使得空间正电荷区变窄

B、P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合,使得空间负电荷区变窄

C、N区的电子顺着外电场方向运动,越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布

D、P区的空穴顺着外电场方向运动,越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布

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第3题
P型半导体中的多数载流子是()。

A. 自由电子

B. 空穴

C. 束缚电子

D. 晶格上的离子

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第4题
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是()的,为()。
A、正,电离施主杂质

B、正,电离施主杂质和空穴

C、负,电离受主杂质

D、负,电离受主杂质和电子

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第5题
在采用开散列法解决冲突时,每一个散列地址所链接的同义子表中各个表项的()相同.
A、关键码值

B、元素值

C、散列地址

D、含义

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第6题
设有一个标识符序列(else,public,return,templatc),p1=0.05,p2=0.2,p3=0.1,p4=0.05,q0=0.2,q1=0.1,q2=0.2,q3=0.05,q4=0.05,计算W[i][j]、C[i][j]和R[i][j],构造最优二叉搜索树。

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第7题
给出显著性检验中,P值的含义,以及如何利用P值决定是否拒绝原假设。

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第8题
本题给出二部图(bipartitegraph)的概念。设G=(V,E)是一类无向图,可以把它们的顶点划分为两个互不相交的子集A和B=V-A,并且这两个子集具有下列性质:

(a)A中任何两个顶点在G中都不是相互邻接的;(b)B中任何两个顶点在G中都不是相互邻接的。例如,图8-34就是二部图。对V(G)的一个划分可能是A=(0,3,4,6)和B=(1,2,5,7).

(1)试编写一个算法,判断图G是否是二部图。如果图G是二部图,则你的算法应当把项点划分成为具有上述性质的两个互不相交的子集A和B。证明:当用邻接表表示图G时,这个算法的复杂度可以做到O(n+e)。其中n是图G的顶点个数,e是边数。

(2)证明:任何-棵树都是二部图

(3)证明:当且仅当图G不包含奇数条边的回路时.它是二部图。

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第9题
使用Floyd算法计算图8-30的各对顶点之间的最短路径。

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