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提问人:网友huan218 发布时间:2022-01-06
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一般认为MOS集成电路功耗低、(),宜用作数字集成电路。

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第1题
MOS集成电路的特点是()

A.集成度高

B.功耗低

C.工作速度高

D.驱动能力强

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第2题
相对而言,MOS型集成电路的特点是速度快、负载能力强、但功耗较大、结构较复杂。
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第3题
TTL集成电路工作速度()、驱动能力(),但功耗()、集成度();MOS集成电路集成度()、静态功耗()。
TTL集成电路工作速度()、驱动能力(),但功耗()、集成度();MOS集成电路集成度()、静态功耗()。

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第4题
MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程,其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子,而NMOS管以电子为导电载流子,由于空穴的迁移率比电子低,因此,NMOS电路的工作速比PMOS电路快,而且PMOS使用负电源,与TTL电路不匹配,所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。对吗?
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第5题
内存储器存储正在运行的程序和程序所需的数据,下列关于内存储器说法正确的是()

A.内存速度用进行一次读或写操作所花费的“访问时间”来描述

B.DRAM的主要参数有两个:存储容量和工作频率,工作频率反映了存储器读写单元的速度

C.动态存储器(DRAM)集成度低,生产成本高,一般用在比内存小得多的高速缓冲存储器等场合

D.断电后RAM中的内容全部丢失,目前使用的RAM多数为MOS型半导体集成电路

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第6题
MOS集成电路集成度低。()

MOS集成电路集成度低。()

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第7题
【判断题】相比晶体管,MOS管的最大特点是功耗低。
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第8题
从制造工艺上考虑,双极型的存储器比MOS型的存储器功耗低,集成度高。
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第9题
MOS电路具有输入电阻大、功耗低、噪声低等突出优点,已成为制造超大规模集成电路的主要器件。
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第10题
和MOS型RAM比较,双极型RAM的特点是()

A.速度快,集成度低,位功耗高

B.速度快,集成度高,位功耗高

C.速度快,集成度低,位功耗低

D.速度慢,集成度高,位功耗底

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