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CMOS反相器电压转移特性如图所示![CMOS反相器电压转移特性如图所示 [图] 下列说法中哪些...CMOS反相器电压转移特性如图所示](https://img2.soutiyun.com/shangxueba/ask/19200001-19203000/19202434/0795c81-chaoxing2016-35801.png)
下列说法中哪些是正确的
A、输入高电平容限为2.5--5V
B、输入高电平最小值为3.2V
C、输出低电平容限为0--0.3V
D、输入低电平容限为0--1.8V
E、正确
F、正确
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A.4.9—5 V
B.4.5—5 V
C.0--0.1 V
D.0—0.5 V
A.输出电压摆幅等于电源电压。
B.逻辑电平与器件的相对尺寸无关。
C.CMOS反相器具有高输出阻抗，这使它对噪声和干扰不敏感。
D.由于反相器的输入节点只连到晶体管的栅上，所以稳态输入电流几乎为零。
，
，CMOS反相器的阈值电压A.3.75V，1.25V
B.1.25V，3.75V
C.7.5V，-2.5V
D.-2.5V，7.5V
A.降低电源电压意味着减小信号摆幅和能耗。
B.降低电源电压的同时会使门的延时减小。
C.降低电源电压可以帮助减小系统的内部噪声。
D.降低电源电压使反相器对外部噪声源更加敏感。
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。
，则反相器的门槛电压为（）。（1.1/3VDD 2.1/2VDD 请填写序号）
,可以提高CMOS反相器的噪声容限。
，功耗电容
，电源电压
，输入矩形波的频率为1 MHz，则反相器的动态功耗为 。
