下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是:()。A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是:()。
A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术
B.NAND Flash以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命等方面有较大优势
C.NOR Flash写入和擦除速度较慢
D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是:()。
A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术
B.NAND Flash以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命等方面有较大优势
C.NOR Flash写入和擦除速度较慢
D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述,其中错误的是()。
A.系统使用的RAM有SRAM、DRAM等多种
B.Flash存储器分为NOR Flash和NAND Flash两种
C.FRAM已得到使用
D.目前还没有使用Cache存储器
A、ARM7中,RAM、ROM和Flash Memory位于各自独立的内存空间中。
B、复位异常的异常向量地址必须位于内存的起始位置0X00000000
C、Windows的最大寻址能力为4GB。
D、NOR型和NAND型Flash都支持本地执行XIP。
A.系统引导程序可以放在NORFlash中,也可以放在NAND Flash中
B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行
C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行
D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性,其访问速度要大于Flash存储器
下面关于S3C2410存储器控制的叙述中,错误的是()。
A.存储器控制器和NAND Flash控制器等属于存储器控制组件
B.系统的I/O与存储器采用统一编址方式
C.地址空间共1GB
D.所有BANK的总线宽度只能选择16位或32位
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