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提问人：网友tangmanyun
发布时间：2022-01-06
[主观题]
在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN 。（)
在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN 。()
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更多“在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN 。（)”相关的问题
第2题
类NMOS或非门的工作管是串联的，当输入全为高电平时，各管的导通电阻串联，使低电平输出电压升高，以致破坏正常逻辑功能；而类NMOS与非门的工作管是并联的，增加NMOS管的数目不会影响低电平输出电压的稳定，因而类NMOS电路多以与非门作为基本门电路。对吗？
第3题
下列关于MOS管的说法中，正确的有：
A.PMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止
B.NMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止
C.PMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通
D.NMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通
E.NMOS和PMOS管，都是高电平输入导通，低电平输入截止
F.NMOS和PMOS管，都是高电平输入截止，低电平输入导通
第7题
以下关于MOS倒相器的说法不正确的是（）。
A.NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器
B.当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD
C.当NMOS管导通时，输出电压VD下降
D.管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用
第8题
以下关于MOS倒相器的说法不正确的是（)。
A.NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器
B.当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD
C.当NMOS管导通时，输出电压VD下降
D.管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用
第9题
采用离子注入可以使ROM中某些地方的晶体管消失，与非ROM注入 ，使NMOS管在正常电压下 。
A.n型杂质磷离子，导通
B.p型杂质硼离子，导通
C.n型杂质磷离子，截止
D.p型杂质硼离子，截止
第10题
采用离子注入可以使ROM中某些地方的晶体管消失，或非ROM注入 ，使NMOS管在正常电压下 。
A.n型杂质磷离子，导通
B.p型杂质硼离子，导通
C.n型杂质磷离子，截止
D.p型杂质硼离子，截止
