关于IGBT说法错误的是()
A.IGBT相对于MOSFET开关频率较低
B.IGBT相对于MOSFET耐压值较小
C.IGBT相对于MOSFET更可工作在大功率环境下
D.IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式半导体器件
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A.IGBT相对于MOSFET开关频率较低
B.IGBT相对于MOSFET耐压值较小
C.IGBT相对于MOSFET更可工作在大功率环境下
D.IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式半导体器件
A.IGBT开关速度高于电力MOSFET
B.IGBT是电压驱动型器件
C.电力MOSFET存在二次击穿问题
D.IGBT具有擎住效应
下列关于债券投资的说法,错误的是()。
A.相对于现金存款,投资债券获得的收益更高
B.相对于股票,投资债券的风险相对较小
C.通过购买债券,投资者希望得到一种相对稳定、安全的投资收益
D.债券的流动性较差
A.IGBT的研制成功为斩波器,逆变器,变频器的高效化 提供了有利条件
B.IGBT目前没有抗短路能力
C.IGBT是电压型驱动器件
D.IGBT的设计中需要提供过电压保护
关于商品经济与市场经济,下列说法错误的是()。
A.商品经济是直接以消费为目的的经济活动方式
B.商品经济是相对于自然经济而言的
C.市场经济是相对于计划经济而言的
D.资源配置中,市场机制起基础性作用
A.相对于GPU,CPU单核的计算能力很强
B.计算单元和存储单元分离
C.高性能CPU适合运行大规模神经网络算法
D.相对于GPU,物理上可并行的核心数量较少
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