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表面杂质浓度低时,随温度升高,压阻系数下降较快。
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A.若电离杂质散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而增大。
B.若晶格振动散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而减小。
C.若温度确定,杂质浓度增大时,电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降。
D.若电离杂质散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而减小。
E.若晶格振动散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而增大。
F.杂质浓度较高时,电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值。
A.若电离杂质散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而增大
B.若晶格振动散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而减小
C.若温度确定,杂质浓度增大时,电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降
D.若电离杂质散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而减小
E.若晶格振动散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而增大
F.杂质浓度较高时,电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值
下列关于升阻比的哪种说法是不正确的
A.升力系数达到最大时,升阻比也达到最大
B.升力和阻力之比升阻比达到最大之前,随迎角增加
C.升阻比成线性增加
关于升阻比下列哪个说法正确
A.在最大升力系数时阻力一定最小
B.最大升阻比时,一定是达到临界攻角
C.升阻比随迎角的改变而改变
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