兴奋性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()
A.Na+、K+、Cl-,尤其是K+
B.Na+、K+、Cl-,尤其是Na+
C.K+、Cl-,尤其是Cl-
D.K+、Cl-,尤其是K+
E.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+
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A.Na+、K+、Cl-,尤其是K+
B.Na+、K+、Cl-,尤其是Na+
C.K+、Cl-,尤其是Cl-
D.K+、Cl-,尤其是K+
E.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+
兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化;而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放,______离子内流而产生的______极化型电位变化。
兴奋性突触后电位的形成是因为()。
A.突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化
B.突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化
C.突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化
D.突触后膜对K+通透性升高,局部超极化
E.突触后膜对K+通透性升高,局部去极化
兴奋性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中哪些离子通透性增加所致()
A.Na+,K+,Cl-,尤其是K+
B.Na+,K+,Cl-,尤其是Na+
C.K+,Cl-,尤其是K+
D.K+,Cl-,尤其是Cl-
A.突触后膜对Ca2+通透性较高
B.总是会引起动作电位的发生
C.重复刺激下可发生时间总和
D.突触后膜对Na+通透性较高
E.兴奋性突触后电位是突触前神经冲动引起的全或无反应
兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性?
A.Ca2+
B.C1
C.K+
D.Na+和K+,尤其是Na+
E.Cl-和K+,尤其是Cl-
兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了()的通透性。
A.Ca2+
B.Cl-
C.K+
D.Na+和K+,尤其是Na+
E.Cl-和K+,尤其是Cl-
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