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提问人:网友154336271 发布时间:2022-08-19
[单选题]

兴奋性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()

A.Na+、K+、Cl-,尤其是K+

B.Na+、K+、Cl-,尤其是Na+

C.K+、Cl-,尤其是Cl-

D.K+、Cl-,尤其是K+

E.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+

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匿名网友[12.***.***.65]选择了 B
1天前
匿名网友[109.***.***.64]选择了 D
1天前
匿名网友[102.***.***.134]选择了 D
1天前
匿名网友[141.***.***.175]选择了 A
1天前
匿名网友[42.***.***.157]选择了 C
1天前
匿名网友[57.***.***.25]选择了 D
1天前
匿名网友[141.***.***.9]选择了 D
1天前
匿名网友[206.***.***.234]选择了 A
1天前
匿名网友[249.***.***.247]选择了 D
1天前
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更多“兴奋性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()”相关的问题
第1题
兴奋性突触后电位是由于突触后膜对哪些离子通透性升高所致?A.B.C.D.

兴奋性突触后电位是由于突触后膜对哪些离子通透性升高所致?

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第2题
兴奋性突触后电位是突触后膜对______,尤其是______的通透性增加而形成的。
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第3题
兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化;而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放,______离子内流而产生的______极化型电位变化。

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第4题
兴奋性突触后电位的形成是因为()。A.突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B.突触后膜对Cl-通透

兴奋性突触后电位的形成是因为()。

A.突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化

B.突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化

C.突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化

D.突触后膜对K+通透性升高,局部超极化

E.突触后膜对K+通透性升高,局部去极化

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第5题
兴奋性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中哪些离子通透性增加所致()A.Na+,K+,Cl-

兴奋性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中哪些离子通透性增加所致()

A.Na+,K+,Cl-,尤其是K+

B.Na+,K+,Cl-,尤其是Na+

C.K+,Cl-,尤其是K+

D.K+,Cl-,尤其是Cl-

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第6题
关于兴奋性突触后电位,下列叙述正确的是()。

A.突触后膜对Ca2+通透性较高

B.总是会引起动作电位的发生

C.重复刺激下可发生时间总和

D.突触后膜对Na+通透性较高

E.兴奋性突触后电位是突触前神经冲动引起的全或无反应

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第7题
兴奋性突触后电位是由于突触后膜出现了超级化。
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第8题
兴奋性突触后电位是突触前膜释放兴奋性递质,后膜对K+和Cl-的通透性增加引起的。()

兴奋性突触后电位是突触前膜释放兴奋性递质,后膜对K+和Cl-的通透性增加引起的。( )

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第9题
兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性?A.Ca2+B.C1C.K+D.Na+和K+,

兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性?

A.Ca2+

B.C1

C.K+

D.Na+和K+,尤其是Na+

E.Cl-和K+,尤其是Cl-

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第10题
兴奋性突触后电位是由于突触后膜对__________、__________尤其是__________通透性升高而去极化所
致。

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第11题
兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了()的通透性。A.Ca2+B.Cl-C.K+D.Na+和K+,尤其是Na+E.

兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了()的通透性。

A.Ca2+

B.Cl-

C.K+

D.Na+和K+,尤其是Na+

E.Cl-和K+,尤其是Cl-

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