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提问人:网友sulynn
发布时间:2022-01-06
[主观题]
区分n半导体和p半导体的方法是()。
A.n半导体的电子过剩,p半导体的电子不足
B.n半导体的电子不足,p半导体的电子过剩
C.n半导体和p半导体的掺杂相同,但接头不同
D.n半导体掺杂三价元素硼,p半导体掺杂五价元素磷
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A.n半导体的电子过剩,p半导体的电子不足
B.n半导体的电子不足,p半导体的电子过剩
C.n半导体和p半导体的掺杂相同,但接头不同
D.n半导体掺杂三价元素硼,p半导体掺杂五价元素磷
A.可以区分N型半导体和P型半导体材料
B.与半导体材料相比,金属导体的霍尔系数较大
C.霍尔元件的制作采用的是半导体材料,而不是金属材料
D.霍尔效应是运动电荷受到的电场力的结果
一n型半导体样品中复合中心能级Et在导带底Ec之下Eg/3处(Eg为禁带宽度),设τp和τn分别为空穴和电子的寿命且在同样数量级并与温度无关。试根据复合中心理论讨论寿命τ与温度T关系,并根据得出的结论说明确定复合中心能级位置的方法。
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