TD-LTE物理层过程包括()
A.下行同步
B.随机接入
C.上行功控
D.下行功率分配
E.频选调度
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- · 有2位网友选择 E,占比22.22%
- · 有2位网友选择 A,占比22.22%
A.下行同步
B.随机接入
C.上行功控
D.下行功率分配
E.频选调度
A.竞争随机接入会发Random Access Preamble,非竞争随机接入不会发该消息
B.竞争随机接入是物理层过程,非竞争随机接入是L3行为;竞争随机接入会发RA Preamble assignment,非竞争随机接入不会发该消息
C.竞争随机接入不会发RA Preamble assignment,非竞争随机接入会发该消息
D.竞争随机接入是物理层过程,非竞争随机接入是L3行为
A.提供与RRU的基带射频接口。
B.实现TD-LTE用户面处理和物理层处理,包括PDCP,RLC,MAC,PHY等。
C.支持IPMI的管理接口。
D.一块BPL板可支持1个8天线20MHz小区。
A.竞争随机接入时物理层过程,非竞争随机接入时L3行为;
B.竞争随机接入会发RandomAccessPreamble,非竞争随机接入不会发该消息;
C.竞争随机接入会发RAPreambleassignment,非竞争随机接入不会发该消息;
D.竞争随机接入不会发RAPreambleassignment,非竞争随机接入会发该消息;
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