以下对存储位元的基本原理描述错误的是()
A.存储数据是根据电容上电荷量的有无来判断
B.写“0”时,位线上加低电平,使数据线对电容充电
C.写“1”时,位线上加高电平,使数据线对电容充电
D.读数据时,根据位线上是否有电流,区分读出“1”还是“0”
- · 有4位网友选择 B,占比50%
- · 有3位网友选择 D,占比37.5%
- · 有1位网友选择 A,占比12.5%
A.存储数据是根据电容上电荷量的有无来判断
B.写“0”时,位线上加低电平,使数据线对电容充电
C.写“1”时,位线上加高电平,使数据线对电容充电
D.读数据时,根据位线上是否有电流,区分读出“1”还是“0”
A.DRAM的存储元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路
B.DRAM的存储元是一个触发器,它具有两个稳定的状态
C.电容器上的电荷量来体现所存储的信息
D.DRAM的读操作通常伴随着刷新操作
A.电容存储电荷的原理;触发器工作原理
B.电容存储电荷的原理;锁存器工作原理
C.触发器工作原理;电容存储电荷的原理
D.锁存器工作原理;电容存储电荷的原理
A.刷新
B.存储
C.充电
D.放电
A.电容存储电荷的原理;触发器工作原理
B.电容存储电荷的原理;锁存器工作原理
C.触发器工作原理;电容存储电荷的原理
D.锁存器工作原理;电容存储电荷的原理
A.触发器;电容存储电荷
B.电容存储电荷;触发器
C.锁存器;电容存储电荷
D.锁存器;触发器
A.在S端加有效的低电平,同时R端处于无效的高电平
B.在R端加有效的低电平,同时S端处于无效的高电平
C.在S端加有效的高电平,同时R端处于无效的低电平
D.在R端加有效的高电平,同时S端处于无效的低电平
为了保护您的账号安全,请在“简答题”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!