题目内容
（请给出正确答案）
下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是()。
A．刷新是指对DRAM中的存储电容重新充电
B．刷新是通过对存储单元进行“读但不输出数据”的操作来实现
C．由于DRAM内部设有专门的刷新电路，所以访存期间允许进行刷新
D．刷新期间不允许访存，这段时间称为“访存死区(也叫死时间)”
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下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是()。
A．刷新操作按行进行，一次刷新一行中的全部存储单元
B．刷新所需的行地址是由DRAM内部的刷新计数器(行地址生成器)给出
C．集中刷新的“死时间”要大于异步刷新的“死时间”
D．分散刷新方式同样存在“死时间”
A.Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ
B.Ⅰ、Ⅲ、Ⅳ
C.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ
D.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ
A.Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ
B.Ⅰ、Ⅲ和Ⅳ
C.Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ
D.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ
A.提供DRAM刷新定时
B.按照DRAM刷新优先于读写的原则为DRAM提供仲裁
C.通过仲裁可以避免读写和刷新操作的冲突
D.产生符合DRAM操作的控制信号
以下说法中错误的是()。
A．与DRAM相比，SRAM的集成度低，存取速度快
B．PC机的主存储器常由DRAM构成
C．RAM需要刷新，且断电后信息会丢失
D．ROM是一种非易失性存储器，断电后仍可保持记忆
以下关于SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）的说法中，正确的是（）。
A.SRAM的内容是不变的，DRAM的内容是动态变化的B.DRAM断电时内容会丢失，SRAM 的内容断电后仍能保持记忆C.SRAM的内容是只读的，DRAM的内容是可读可写的D.SRAM和DRAM都是可读可写的，但DRAM的内容需要定期刷新
A．RAM分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类
B．SRAM的集成度比DRAM高
C．DRAM的存取速度比SRAM快
D．DRAM中存储的数据无须“刷新”
A.读操作也具有刷新功能
B.DRAM比相同工艺的SRAM要慢
C.某DRAM芯片地址引脚数据为12根，则其容量为16M
D.工具DRAM的工作原理可知，相同容量的DRAM比SRAM功耗低
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