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提问人：网友simoncat 发布时间：2022-01-07
[单选题]

T＞0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）

A.增加

B.下降

C.不变

D.不确定

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第1题
若费米能级EF=5eV，利用费米函数计算在什么温度下电子占据E=5．5eV能级的概率为1％。并计算在该温度下电子分布概率从0．9～0．1所对应的能量区间。

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第2题
若费米能级EF=5eV,利用费米函数计算在什么温度下电子占据E=5.5eV能级的概率为1%。并计算在该温度下电子分布

若费米能级EF=5eV，利用费米函数计算在什么温度下电子占据E=5.5eV能级的概率为1%。并计算在该温度下电子分布概率从0.9～0.1所对应的能量区间。

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第3题
两块n型硅材料，在某一温度T时，第一块与第二块的电子密度之比为n1／n2=e(e是自然对数的底)。 (1)如果第一块材料的费米能级在导带底之下3k0T，试求出第二块材料中费米能级的位置； (2)求出两块材料中空穴密度之比p1／p2。

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第4题
[图]时，位于[图]以上的能级，随着温度的升高，电子占据...

时，位于以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（ ）

A、增加

B、下降

C、不变

D、不确定

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第5题
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的EF位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x1015cm-3,计算300K时的EF位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x1015cm-3,计算300K时EF位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。

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第6题
以下关于“费米能级”的说法正确的是：

A、费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上空着的一个分界线

B、费米能级的位置比较直观的反映了电子占据量子态的状况

C、费米能级标志着电子填充能级的水平

D、费米能级是导带和价带的一个分界线

E、费米能级标志着电子填充导带的水平

F、费米能级标志着电子填充价带的水平

G、处于热平衡状态的电子系统不具有统一的费米能级

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第7题
根据费米分布函数，电子占据（[图]）能级的几率（ ）A、等于...

根据费米分布函数，电子占据（）能级的几率（ ）

A、等于空穴占据（）能级的几率

B、等于空穴占据（）能级的几率

C、大于电子占据的几率

D、大于空穴占据的几率

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第8题
对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[图]随...

对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级随温度升高而（ ）

A、单调上升

B、单调下降

C、经过一极小值趋近

D、经过一极大值趋近

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第9题
对于掺杂浓度相同的下列半导体，工作温度最高的为（ ）

A、Si

B、Ge

C、SiC

D、GaAs

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第10题
对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ）

A、

B、

C、

D、

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