A.P沟道耗尽型场效应管;栅极G电压为0V,漏极与源极之间也可能会有电流。
B.N沟道增强型场效应管;栅极G电压大于开启电压后,漏极与源极之间才会有电流。
C.结型场效应管,栅极G电压为0V,漏极与源极之间也可能会有电流。
D.P沟道耗尽型场效应管;栅极G电压大于开启电压后,漏极与源极之间才会有电流。
A.当栅极电压为零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
B.当栅极电压小于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。
C.当栅极电压大于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
D.当栅极电压大于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
A、A. N沟道 耗尽型
B、B. P沟道 增强型
C、C.P沟道 耗尽型
D、D. N沟道 增强型
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