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提问人:网友apolokidd 发布时间:2022-01-07
[单选题]

光刻流程中通过加温烘烤使胶膜更牢固地黏附在晶圆表面,并可
以増加胶层的抗刻蚀能力的工艺步骤是()。

A.坚膜

B.前烘

C.后烘

D.涂胶

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1天前
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1天前
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1天前
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1天前
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第1题
光刻工艺是按照下列哪种流程顺序进行操作?

A.打底膜、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶

B.打底膜、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶

C.打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶

D.打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶、刻蚀

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第2题
在光刻工艺中,前烘的主要目的是()。

A.蒸发掉胶中的有机溶剂成分,使晶圆表面的胶固化

B.防止沾污设备

C.增强光刻胶的粘附性

D.缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力

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第3题
不论正胶或负胶,光刻过程中都包括如下步骤:1. 刻蚀 2.前烘 3.显影 4. 去胶 5.涂胶 6. 曝光 7. 坚膜. 以下选项排列正确的是()。

A.5263741

B.5263471

C.2561437

D.5263714

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第4题
光刻工艺流程:打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。
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第5题
从下面选出正确的光刻工艺流程

A.底膜处理→前烘→涂胶→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶

B.底膜处理→涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶

C.底膜处理→涂胶→曝光→前烘→显影→坚膜→刻蚀→去胶

D.底膜处理→涂胶→前烘→曝光→坚膜→显影→刻蚀→去胶

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第6题
芯片制造中光刻的流程一般是()?

A.气相成底膜,旋转涂胶,软烘,曝光,后烘,显影,坚膜,刻蚀,去胶

B.旋转涂胶,气相成底膜,软烘,曝光,后烘,显影,坚膜,刻蚀,去胶

C.旋转涂胶,气相成底膜,软烘,曝光,坚膜,显影,后烘,刻蚀,去胶

D.气相成底膜,旋转涂胶,软烘,曝光,坚膜,显影,后烘,刻蚀,去胶

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第7题
涂好胶的晶元软烘(前烘)后光刻胶膜厚将减薄。
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第8题
光刻工艺中,底膜处理包括清洗、烘干和(),比如在硅片表面氧化层上光刻时,常涂敷()作为底胶。
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第9题
在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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第10题
Align & Exposure的含义是

A.对准和曝光

B.光刻和刻蚀

C.光刻和光刻胶

D.软烘和坚膜

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