硅二极管的正向导通电压降约为()。
A.0.1V
B.0.3V
C.0.5V
D.0.7V
A.0.1V
B.0.3V
C.0.5V
D.0.7V
A.半导体二极管正偏时,势垒区变窄
B.半导体二极管正偏时,扩散电流大于漂移电流,总电流方向与扩散电流一致
C.常温下,硅二极管的开启电压约为0.1V,正向导通的管压降约为0.2V
D.常温下,锗二极管的开启电压约为0.1V,正向导通的管压降约为0.2V
E.常温下,锗二极管的开启电压约为0.5V,正向导通的管压降约为0.7V
F.常温下,硅二极管的开启电压约为0.5V,正向导通的管压降约为0.7V
A.半导体二极管正偏时,势垒区变窄
B.半导体二极管正偏时,扩散电流大于漂移电流,总电流方向与扩散电流一致
C.常温下,硅二极管的开启电压约为0.1V,正向导通的管压降约为0.2V
D.常温下,锗二极管的开启电压约为0.5V,正向导通的管压降约为0.7V
硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为______V和______V。通常情况下,它们的正向导通电压的工程取值分别为______V和______V。
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