在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟,在室...
在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟,在室温下(300K)下测得电阻率。已知所掺杂的硼浓度,硼的电离能,铟的电离能,试求样品中[室温下,,假设硼(浅能级杂质)已经完全电离。]
在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟,在室温下(300K)下测得电阻率。已知所掺杂的硼浓度,硼的电离能,铟的电离能,试求样品中[室温下,,假设硼(浅能级杂质)已经完全电离。]
在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟,在室温(300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度为Na1=1016/cm3,硼的电离能为Ea1-Ev=0.045eV,铟的电离能为Ea2-Ev=0.16eV,试求样品中铟的浓度Na2[室温下为Nv=1.04×1019/cm3,μp=200cm2/(V·s)]。
A.在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质;
B.在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质;
C.在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
D.在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼,同时进行氧化。
A.硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)
B.硅中掺有元素杂质硼(B)、铝(Al)
C.砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE)
D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
已知硅半导体中每立方厘米掺有1个硼原子,则:
A、这是N-Si
B、电子浓度为
C、该半导体中空穴为少数载流子
D、该半导体的费米能级在禁带中心下方
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