在STTL集成电路中，采取了哪些措施来提高电路的开关速度？

文件WORD1.DOC的内容如下：

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高速CMOS电路的输出驱动电流

高速CMOS电路的高、低电平输出驱动电流设计得与LSTTL和ALSTTL的低电平输出驱动电流一样，比STTL的低电平输出驱动电流约大5倍。

74HC的低电平输出驱动电流为4mA(电压为0.4V)，54HC的低电平输出驱动电流为3.4mA(电压为0.4V)。与标准CMOS电路CD4000系列一样，高速CMOS的高电平输出驱动电流和低电平输出驱动电流是对称的，也是4mA。

高速CMOS电路这样大的输出驱动电流还有一个附加的优点——大大减少了信号线之间的交叉耦合，而交叉耦合问题在高速系统中是十分严重的。

对TTL电路来说，由于输入电流较大，因而其扇出能力受到限制。

高速CMOS、LSTTL、ALSTTL和STTL扇出对比表

信号来源 74HC  74LS   74ALS  74S

74HC   4000  10    20   2

74LS   *   10/20  20/40  4

74ALS  *   10/20  20/40  4

74S   *    50   100   10

【文档结束】

在考生文件夹下打开WORD1.DOC文件，按照要求完成下列操作：

(1)把文中所有的“高速CMOS”替换为“HCMOS”。

(2)把标题段文字设置为三号红色黑体、倾斜、居中、段后间距0.5行。

(3)设置正文各段落中的英文文字为Times New Roman字体；各段落首行缩进2字符、左右各缩进1字符。

(4)把文中后5行文字转换为一个5行5列的表格；设置表格居中、列宽3厘米、行高1厘米、表格中所有文字居中。

(5)设置表格所有边框线为0.75磅红色双窄线。

晶体管的β值和场效应管的跨导g_m与工作频率无关。(  )

在晶体管的BV_CBO、BV_CEO、BV_EBO这3个击穿电压中，BV_CBO的值最大。(  )

有人测得晶体管的V_BE=0.7V时，I_B=20μA，由此推算出r_π=V_BE/I_B=35kΩ。(  )

有人测得晶体管的V_BE=0.6V， I_B=10μA，由此推算出r_π=26mV/I_B=2.6kΩ。(  )

有人测得晶体管的V_BE=0.6V时，I_B=10μA，V_BE=0V时，I_B=0，由此推算得到r_π=△V_BE/△I_B=(0.6-0)V/(10-0)μA=60kΩ。(  )