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提问人:网友anonymity
发布时间:2022-01-06
[主观题]
硅NPN晶体管在300K时具有如下参数:IE=1mA,CTE=1pF,xB=0.5μm, Dn=25cm2/s,xm=2.4μm,rSC=20Ω,CTC=0.2pF.求发
硅NPN晶体管在300K时具有如下参数:IE=1mA,CTE=1pF,xB=0.5μm,
Dn=25cm2/s,xm=2.4μm,rSC=20Ω,CTC=0.2pF.求发射区集电区渡越时间和截止频率.
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