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提问人：网友liminbai
发布时间：2022-01-07
[主观题]
平衡PN结形成过程中，电子向N区漂移，空穴向P区漂移
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A.N区的电势比P区高
B.N区的电势能比P区高
C.N区的空穴向P区扩散
D.N区的电子向P区漂移
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第4题
PN结上有内建电场。当PN结加上反向电压后，入射光主要在耗尽区被吸收，在耗尽区产生光生载流子(电子空穴对)。在耗尽区电场作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，产生光生电动势。在远离PN结的地方，因没有电场的作用，电子空穴作扩散运动，产生（）。因I层宽。加了反偏压后，空间电荷区加宽，绝大多数光生载流于部落在耗尽层内进行高效、高速漂移，产生（）。漂移电流远远大干扩散电流，所以PIN光电二极管的灵敏度高。
A.扩散电流、漂移电流
B.扩散电流、扩散电流
C.漂移电流、扩散电流
D.漂移电流、漂移电流
第6题
PN结外加正向电压时，下面错误的说法是（）。
A.N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合，使得空间正电荷区变窄
B.P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合，使得空间负电荷区变窄
C.N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布
D.P区的空穴顺着外电场方向运动，越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布
第9题
PN结外加正向电压时，下面错误的说法是（)。
A.A.N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合，使得空间正电荷区变窄
B.B.N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布
C.C.P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合，使得空间负电荷区变窄
D.D.P区的空穴顺着外电场方向运动，越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布
第10题
简述光生伏特效应中正确的是（）
A.用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；
B.p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；
C.平衡载流子破坏原来的热平衡；
D.非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
