题目内容
（请给出正确答案）
A.溶剂去胶
B.氧化去胶
C.物理去胶
D.等离子体去胶
参考答案
简答题官方参考答案
（由简答题聘请的专业题库老师提供的解答）
网友提供的答案
更多“在集成电路制造过程的图形制备的最后一道工序是光刻胶去除，这一过程叫去胶，常用的去胶方法有（)。”相关的问题
光刻加工的工艺过程为：()
A.①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗
B.①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散
C.①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
A.除去光刻胶中剩余的溶剂
B. 增强光刻胶对晶片表面的附着力
C. 提高光刻胶的抗刻蚀能力
D. 有利于以后的去胶工序
E. 减少光刻胶的缺陷
A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B. 涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
C. 涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D. 前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
A.打底膜、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶
B.打底膜、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶
C.打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶
D.打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶、刻蚀
警告：系统检测到您的账号存在安全风险
为了保护您的账号安全，请在“简答题”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！
