下列可以直接用来求算AgCl溶度积Ksp的电池是()。
A.AgôAg+(aq) êêCl-(aq)ôAgCl(s)ôAg
B.AgôAgCl(s) êêAg+(aq)ôAg
C.AgôAg+(a1) êêAg+(a2)ôAg
D.AgôAgCl(s)ôCl-(aq) êêAg+(aq)ôAg
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A.AgôAg+(aq) êêCl-(aq)ôAgCl(s)ôAg
B.AgôAgCl(s) êêAg+(aq)ôAg
C.AgôAg+(a1) êêAg+(a2)ôAg
D.AgôAgCl(s)ôCl-(aq) êêAg+(aq)ôAg
已知忽略液接电位,计算CdX2的Ksp.(CdX2为镉的难溶盐)
在室温下(300K),高纯锗的电子迁移率,设电子的有效质量,试计算: 1) 热运动的均方根速度;(见式4-100,) 2) 平均自由时间; 3) 散射概率; 4) 平均自由程; 5) 在外加电场为10 V/cm时的平均漂移速度。
已知E(Zn2+/Zn)= -0.763V,E(Ni2+/Ni)= -0.25V。将下列反应:Zn(s)+Ni2+(aq)Zn2+(aq)+Ni(s)构成一原电池,测得电动势为0.54V,且c(Ni2+)=1.0mol·L-1,则此时c(Zn2+)为()。
A、0.020mol·L-1
B、0.320mol·L-1
C、0.500mol·L-1
D、0.12mol·L-1
A、a1 > a2
B、a1 = a2
C、a1 < a2
D、a1和a2可取任意值
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