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提问人:网友文旻昊 发布时间:2022-01-06
[主观题]

刻蚀的方法有两类:湿法刻蚀和干法刻蚀,其中,()是利用液体化学试剂以化学形式除去硅片表面材料。而()是利用等离子体辅助来进行刻蚀的技术,刻蚀反应中不涉及液体。

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第1题
根据杂质含量多少,通常将化学试剂分为( )和实验试剂四个等级。

A、优级纯、分析纯、化学纯

B、光谱纯、分析纯、化学纯

C、优级纯、光谱纯、化学纯

D、优级纯、分析纯、光谱纯

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第2题
化学试剂通常分为化学纯试剂、分析纯试剂、优级纯试剂和基准试剂。()

此题为判断题(对,错)。

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第3题
我国对优级纯的通用标记()

我国对分析纯的通用标记()

我国对化学纯的通用标记()

我国对实验试剂的通用标记()

A. 以"GR"标记

B. 以"AR"标记

C. 以"CP"标记

D. 以"LR"标记

E. 以"AAA"标记

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第4题
物理化学刻蚀中既有()的碰撞,又有()的反应。
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第5题

什么是干法刻蚀?干法刻蚀相比于湿法腐蚀的优点有哪些?

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第6题

什么是干法刻蚀?什么是湿法腐蚀?两者所形成的刻蚀剖面有何区别?

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第7题
在扩散工艺中,杂质进入半导体后占据正常的晶格格点,主要是沿着空位向里扩散的方法是()。

A、替位式扩散

B、间隙式扩散

C、自由式扩散

D、恒定扩散

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