假设漏极电流的参考方向均为流入漏极,下图三种特性曲线,分别属于哪一种场效应管______。
A.N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道结型
B.N沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道结型
C.P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道结型
D.P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道结型
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A.N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道结型
B.N沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道结型
C.P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道结型
D.P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道结型
A、vGS=0,则沟道中无法流过电流
B、P沟道JFET工作时,应满足栅源电压vGS<0
C、JFET的沟道电流,主要受到栅源电压vGS的影响
D、N沟道JFET工作时,应满足栅源电压vGS<0
B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜,输出阻抗降低
C、由于沟道长度调变效应,在n型沟道中运动的电子到达夹断处时,会被耗尽区电场扫进漏区,从而导致增益变小
D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似
该场效应管的开启(夹断)电压可表示为______。
A、VTN=6V
B、VPN=6V
C、VTP=6V
D、VPP=6V
为使下图所示电路具有放大作用,必须________。
A、在源极和地之间加一电阻R
B、在栅极与Rg2间加一电阻Rg3
C、去掉电阻Rg2
D、将电源+VDD改为-VDD
此电路不能实现放大的原因是 。
A、输入信号被电容Cb2短路
B、电源极性错误
C、直流时电容Cb2短路,发射结因电压过大而烧坏
D、电容Cb1和Cb3极性错误,容易击穿
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