题目内容
（请给出正确答案）
A.CI-通道开放可降低IPSP
B.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
C.IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
D.IPSP使神经元的兴奋性增加
E.IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl_的通透性
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A.CI-通道开放可降低IPSP
B.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
C.IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
D.IPSP使神经元的兴奋性增加
E.IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl_的通透性
A.Cl通道开放可降低IPSP
B.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
C.IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
D.IPSP使神经元的兴奋性增加
E.IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
抑制性突触后电位(inhibitory postsynaptic potential，IPSP)
A.突触前末梢去极化
B.Ca2+由膜内进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时，______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化；而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放，______离子内流而产生的______极化型电位变化。
A.突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称IPSP
B. 突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称EPSP
C. 细胞外Ca进入末梢轴浆内，触发突触囊泡的出胞
D. 突触前末梢在接受一短串高频刺激后可产生强直后增强现象
E. 突触后膜上电位改变的总趋势决定于同时产生的EPSP和IPSP的代数和
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