P+N结中的势垒电容大小基本只受N区一侧掺杂浓度影响

PN结的p型和n型间的势垒随正向偏压而升高。

室温下，某半导体的本征载流子浓度为2×10^6 cm^-3 ,掺杂浓度为ND=10^15 cm^-3 ，电子和空穴的迁移率分别为8500cm^2/V·s 和400cm^2/V·s 。若外加电场强度为10V/cm ，则其漂移电流密度为 cm^2

PN结势垒区电势最低的位置是()。

当未加外部电压时， PN结中的电流 。

PN结中漂移电流的方向是（）。

PN结正偏时会有大量的电子注入P区，大量的空穴注入N区

pn结的p区导带和价带的能量比n区()。

以下关于P、NP、NPC、NP-hard关系的描述中，哪一个不一定正确？( )

下列关于元素电负性大小的比较中，不正确的是()A．SeB．C...

有以下程序： #include＜stdio.h＞ iht fun(iht n，int*p) { int f1，f2； if(n==1||，n==2)*p=1； else { fun(n-1，&f1)；fun(n-2，&f2)； *p=f1+f2； } } main() { int s； fun(3，&s)； printf("%d\n"，s)； } 程序的运行结果是______。