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提问人：网友douliyoutang1
发布时间：2022-01-07
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GTR是由三层半导体、两个PN结构成的三端器件，所以可分为（)型和（)型两种形式。
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第2题
以下关于典型全控型器件描述不正确的是（）
A.GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。
B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
第3题
以下关于典型全控型器件描述不正确的是（）
A.GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。
B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
