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提问人:网友hhz1026
发布时间:2023-01-21
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![用16K×1位的DRAM芯片构成64K×8位的存储器,设存储器的读写周期为0.5μs,要使CPU在1μs内至少访问存储器一次,问采用哪种刷新方式比较合适?若每行刷新间隔不超过2ms,该方式下刷新信号的间隔是多少?](https://img2.soutiyun.com/shangxueba/askcard/2023-10/9/780/20231009130441913.jpg)
[主观题]
用16K×1位的DRAM芯片构成64K×8位的存储器,设存储器的读写周期为0.5μs,要使CPU在1μs内至少访问存储器一次,问采用哪种刷新方式比较合适?若每行刷新间隔不超过2ms,该方式下刷新信号的间隔是多少?
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解:由于要使CPU在1μs内至少访问存储器一次,而存储器的读写周期为0.5μs,故不可采用集中式刷新方式,因为集中是刷新的死时间会超过1μs,从而不可保证CPU在1μs内至少访问存储器一次,故采用异步刷新方式比较合适。
设16K×1位的DRAM芯片采用地址复用后,采用128*128的排列方式,则将2ms分成128个时间段,每段的时间为:2000μs/128=15.625μs,即刷新信号的产生周期为15.625μs
设16K×1位的DRAM芯片采用地址复用后,采用128*128的排列方式,则将2ms分成128个时间段,每段的时间为:2000μs/128=15.625μs,即刷新信号的产生周期为15.625μs