题目内容
（请给出正确答案）
在杂质浓度杂质![在杂质浓度杂质[图]的样品中，载流子迁移率随温度的变...在杂质浓度杂质的样品中，载流子迁移率随温度](http://static.jiandati.com/b7ad5d7-chaoxing2016-1000040.png)
的样品中，载流子迁移率随温度的变化，以下描述正确的是？
A、低温下，电离杂质散射起主要作用
B、常温下，晶格振动散射起主要作用
C、低温下，光学支散射起主要作用
D、低温下，声学支散射起主要作用
E、常温下，电离杂质散射起主要作用
F、常温下，合金散射起主要作用
简答题官方参考答案
（由简答题聘请的专业题库老师提供的解答）
抱歉！暂无答案，正在努力更新中……
更多“在杂质浓度杂质[图]的样品中，载流子迁移率随温度的变...”相关的问题
A.若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大。
B.若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小。
C.若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降。
D.若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小。
E.若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大。
F.杂质浓度较高时，电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值。
A.若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大
B.若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小
C.若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降
D.若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小
E.若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大
F.杂质浓度较高时，电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值
A、若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大
B、若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小
C、若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降
D、若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小
E、若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大
F、杂质浓度较高时，电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值
A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射。
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率。
C、中性杂质不会对半导体产生影响。
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差。
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体。
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级。
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷。
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心。
J、如果杂质能级（深能级）的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金。
K、如果杂质能级（深能级）的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用。
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
警告：系统检测到您的账号存在安全风险
为了保护您的账号安全，请在“简答题”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！
