半导体超晶格材料制备是在（)设备上研制成功的。

A、两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构

B、两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料(势阱)的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料(势垒)的厚度较大，称这种结构为超晶格结构

C、能够对电子(空穴)的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构

D、双异质结形成的结构，如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构

A、窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，这种结构的电子势阱和空穴势阱都位于窄带材料中

B、一种材料的导带底和价带顶均分别低于另一种材料的导带底和价带顶，电子势阱和空穴势阱分别位于两种材料中，电子与空穴在空间上是分离的

C、一种材料的导带底与另一种材料的价带顶有一部分重叠，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中

D、窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中

A、塑性金属材料

B、脆性金属材料

C、塑性非金属材料

D、脆性非金属材料

A、超导体

B、导体

C、半导体

D、绝缘体

A. 铜导线

B. 铝导线

C. 半导体

D. 超导体