NPN双极结型晶体管发射区杂质分布为NdE(x).晶体管处于正向有源模式.
NPN双极结型晶体管发射区杂质分布为NdE(x).晶体管处于正向有源模式.
NPN双极结型晶体管发射区杂质分布为NdE(x).晶体管处于正向有源模式.
B、发射区重掺杂导致电子浓度升高,增大,发射效率提高
C、俄歇复合增强,空穴寿命减小,扩散长度减小,增大
D、考虑发射效率公式,放大系数减小
B、使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区
C、基区中空穴的扩散长度很小
D、使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界
A、减少在基区中复合的电子数
B、使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区
C、基区中空穴的扩散长度很小
D、使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界
A. 晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态
B. 晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区
C. 晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示
D. 晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
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