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（请给出正确答案）
和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是()。
A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大
B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小
C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小
D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
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和动态MOS存储器相比，双极型半导体存储器的性能是________。
A．集成度高，存取周期快，位平均功耗少
B．集成度高，存取周期快，位平均功耗大
C．集成度低，存取周期快，位平均功耗大
A.内存速度用进行一次读或写操作所花费的“访问时间”来描述
B.DRAM的主要参数有两个：存储容量和工作频率，工作频率反映了存储器读写单元的速度
C.动态存储器(DRAM)集成度低，生产成本高，一般用在比内存小得多的高速缓冲存储器等场合
D.断电后RAM中的内容全部丢失，目前使用的RAM多数为MOS型半导体集成电路
A.从RAM读出数据后，原有存储单元内容不变
B.将数据写入RAM后，新写人的内容累加至原存储单元中
C.动态随机存储器（DRAM）就是常说的内存
D.目前使用的RAM多数为MOS型半导体集成电路
下列关于闪存（Flash Memory）的叙述中，错误的是
A.信息可读可写，并且读、写速度一样快
B.存储元由 MOS 管组成，是一种半导体存储器
C.掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器
D.采用随机访问方式，可替代计算机外部存储器
【基本概念的理解】单选题【每小题3分，共60分】 1、下列不属于计算机存储体系的是（） A. 内存 B. Cache C. 外存 D. 寄存器堆 2、下列关于主存的描述，错误的是（） A. 用来存储CPU需要执行的指令和数据。 B. 永久性存放用户的程序和数据。 C. 主存属于半导体动态存储器，需要刷新操作。 D. 主存与CPU一起构成主机的主要部件。 3、下列关于虚拟存储器，描述错误的是（） A. 指令可以显式地在指令中使用虚拟存储器的地址。 B. 虚拟存储器也是一种存储器，它与主存之间存在对应的地址映射关系。 C. 虚拟存储器仅仅是一个逻辑模型，物理形态上不存在。 D. 访问内存的速度比访问虚拟存储器快。 4、下列关于存储器的各项叙述，正确的是（） A. 静态存储器依靠电容来存储信息，不需要刷新，需要电源供电才能保存信息。 B. 动态存储器依靠双稳态电路来存储信息，需要定时刷新。 C. 硬盘属于磁表面存储器，能长期保存数据，读数据的操作是非破坏性读出。 D. 移动硬盘是一种半导体存储器，能保存大量的数据。 5、下列对于RAM和ROM，描述错误的是（） A. 两者都属于半导体存储器类型。 B. 两者都采用随机访问方式，访问时间和存储单元的地址码无关。 C. 主存属于是一种RAM型的存储器。 D. 可以从ROM存储器读数据，但任何条件下都不能对ROM存储器写入数据。 6、对硬盘的读写操作，采用的存储器存取方式是（） A. 随机访问方式； B. 顺序存取方式； C. 直接存取方式； D. 突发存取方式； 7. 下列关于数据传输率，表述错误的是（） A. 数据传输率等价于带宽，指的是单位时间内数据的传输量。 B. 数据传输率等于数据传输的位宽除以传输周期。 C. 数据传输率等于数据传输的位宽乘以传输频率。 D. 数据传输率的单位可以表示为IPS，bPS和MBPS。 8、下列适合用做Cache的存储器是（） A. 静态存储器 B. 动态存储器 C. 磁存储器 D. 光存储器 9、下列各种存储单元的电路中，读数据时属于破坏性读出的存储是（） A. 双极型存储单元 B. 静态MOS型六管存储单元 C. 动态MOS四管存储单元 D. 动态MOS型单管单元 10、对下列几种ROM芯片，描述正确的是（） A. PROM型存储芯片支持数据的写入操作，可对其多次写入数据。 B. FLASH芯片，可以实现芯片级、也可以实现比特级的数据擦除。 C. EPROM存储芯片，采用电擦除方式，只能实现芯片级的数据擦除。 D. EEPROM存储芯片，采用紫外线擦除方式，能实现芯片级和比特级的数据擦除。 11、下列关于动态存储器刷新方式，错误的表述是（） A. 按芯片存储单元的矩阵进行刷新，每个存储单元逐一刷新。 B. 刷新本质上是对存储单元进行数据重写，由刷新电路自动执行。 C. 刷新1行的时间称为刷新周期，它由芯片矩阵的行数和最大刷新间隔决定。 D.集中式刷新方式的缺点是容易形成内存访问的死区时间，异步刷新方式即可以避免访存死区，还能提高刷新操作安排的灵活性。 12、下列对于磁层的磁化，描述错误的是（） A. 典型的磁化方式有两种：水平磁化和垂直磁化。 B. 水平磁化方式形成的位密度远低于垂直磁化方式。 C. 磁层保持静止不动而磁头移动，通过磁头线圈感应电势的变化来读出数据。 D. 写入数据时，利用导电线圈中的写入电流产生的磁场来对磁层材料进行磁化，通过磁化状态的分布模式来存储信息。 13、下列不属于磁盘寻址信息的是（） A. 圆柱面号 B. 磁头号 C. 扇区号 D. 总线地址 14、下列各项信息中，不可能在磁盘扇区中保存的信息是（） A. 标志区 B. CRC校验码 C. 文件分配表 D. 数据区 15、下列对磁盘相关概念描述，错误的是（） A. 磁盘接口的工业标准，以前曾采用过SCSI、IDE等，现在主要采用SATA接口标准。 B. 磁盘有格式化容量和非格式化容量的区别，通常格式化容量小于非格式化容量，且格式化容量等于盘面数、磁道数、磁道周长、位密度这几个参数的乘积。 C. 磁盘的发展趋势是容量越来越大、带宽越来越高、体积却越来越小。 D. 现代计算机系统，广泛采用磁盘+固态硬盘的外存架构模式，既能满足大数据量存储的需求，也能提高存取的速度。 16、下列的磁记录编码方式中，需要提供同步信号才能实现数据读操作的方式是（） A. 不归零-1制 B. 调相制 C. 调频制 D. 都需要同步信号 17、下列对于光盘的描述，错误的是（） A. 它是利用激光来照射存储介质，使介质发生特定的物理、化学特性变化，通过这种方式来记录信息。 B. 光盘的存储介质类型，主要有形变型、相变型和磁光型等等。 C. 普通CD光盘采用近红外光，DVD光盘采用红光，BD光盘采用蓝光来作为激光源，激光波长越来越大，对应的存储密度也越来越高。 D. 激光会在光盘盘面的存储介质上留下光道，盘面上的光道不是同心圆，而是由内向外、轨迹连续的螺旋线。 18、下列按内存寻址，而不是按地址码寻址的存储器是（） A. 双端口存储器 B. 联想存储器 C. 并行储器 D. 虚拟存储器 19、下列对于Cache和主存之间的地址映射方式，错误的描述是（） A. 采用直接映射方式，主存块只能映射到与自己组内序号相同的Cache块位置。 B. 采用全相联映射方式，主存块可以映射到Cache中的任何一个数据块位置。 C. 采用组相联映射方式，主存块只能映射到与自己组内块序号相同的Cache分组中。 D. Cahe容量固定时，全相联映射方式能使对Cache的访问命中率最高，但Cache访问命中的判断速度却是组相联映射方式最快。 20、下列关于虚拟存储的相关概念，描述错误的是（） A. 虚拟存储器应为不是一个物理存储器，因此它并不能增加主存的逻辑存储空间。 B. 虚拟存储器是在外存基础上抽象而成的一种存储器，因此访问外存的操作可以相应转换成访问虚拟存储器的操作。 C. 虚拟存储器是实现主存和外存之间数据交互操作的一种技术途径，它需要通过操作系统和硬件的配合才能实现。 D. 快表TLB本质上是页表中存储的一部分页表项，把频繁使用的页表项用高速存储器单独进行存储，可以提高虚实地址的转换速度。
在半导体存储器中，动态随机存储器DRAM的特点是______。
A.按位结构方式存储
B.按字结构方式存储
C.信息在存储介质中移动
D.每隔一定时间刷新一次
半导体存储器中，动态RAM的特点是______。
A．信息在存储介质中移动
B．按字结构方式存储
C．按位结构方式存储
D．每隔一段时间要进行一次刷新
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