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本征半导体的费米能级位于()。
A.导带底附近
B.价带顶附近
C.禁带中线
D.导带内
![](https://lstatic.shangxueba.com/jiandati/pc/images/jdt_panel_vip.png)
A.导带底附近
B.价带顶附近
C.禁带中线
D.导带内
A、其费米能级与杂质浓度和温度有关
B、300K下,90%的杂质能否电离与杂质电离能和杂质浓度有关
C、温度越高,费米能级越接近导带极值
D、杂质浓度越大,半导体进入本征区的温度越高
E、在饱和区,少子浓度基本不随温度变化
B、本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C、N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D、N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远
A、电子准费米能级与空穴准费米能级之间的偏离程度反映了系统偏离热平衡态的程度
B、多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
C、少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
D、多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
E、少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
F、当电子的准费米能级和空穴的准费米能级重合时,半导体处于非平衡态
A、载流子浓度不随温度变化
B、大部分杂质都已电离
C、本征激发的影响可以忽略
D、载流子浓度随温度升高按指数规律变化
E、费米能级不随温度变化
F、本征激发的影响不可忽略
B、导带和价带之间没有统一的费米能级
C、载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方
D、导带和价带之间有统一的费米能级
E、不存在非平衡载流子
F、载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方
B、有确定的载流子浓度
C、有统一的费米能级
D、载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方
E、导带和价带之间没有统一的费米能级
F、载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方
G、有非平衡载流子
B、费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动
C、费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动
D、费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
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