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提问人:网友anonymity
发布时间:2022-01-06
[主观题]
用VSEPR理论和杂化轨道理论填充下表: 分子或离子 中心原子 n VP 几何构型
用VSEPR理论和杂化轨道理论填充下表:
分子或离子 | 中心原子 | n | VP | 几何构型 | 中心原子杂化轨道类型 |
NO_{3}^{-} | |||||
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用VSEPR理论和杂化轨道理论填充下表:
分子或离子 | 中心原子 | n | VP | 几何构型 | 中心原子杂化轨道类型 |
NO_{3}^{-} | |||||
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分析:在本题的假设下,原有原子结构理论的有关规律的实质是有用的,但具体的则要发生一些变化。若泡利不相容原理和洪德规则就不适用;但能量最低原理是适用的;饱和的概念仍然成立,只是各个轨道、各个亚层、各个电子层最多能容纳的电子数应为原来的一半,如第二层排成2S2P3就饱和了,第三层排成3s13p33d5就饱和了;轨遭的能级顺序没有变化,电子的填充顺序也无变化。
A、在良溶剂中比在不良溶剂中溶液粘度小
B、交联度越大,溶胀程度越小
C、结晶部分比非结晶部分容易溶解
D、极性高分子在极性溶剂中溶解放热,有利于溶解
欲配制pH=5.0,含HAc0.2mol·L-1的缓冲溶液1L,需1mol·L-1HAc______L,1mol·L-1NaAc______L。
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