用16K×1的动态随机存储器RAM2116扩展为存储容量32K×16的存储器需要多少片RAM2116 。
A、32
B、64
C、128
D、256
若有定义bit flag;则变量flag处于的存储区域为
A、内部RAM的20H-2FH单元
B、外部RAM的20H-2FH单元
C、内部RAM的0H-1FH单元
D、内部RAM的30H-7FH单元
某计算机主存容量为64KB,其中ROM区为4KB,其余为RAM区,按字节编址。现要用4K×4位的RAM芯片来设计该存储器的RAM区,则需要RAM芯片数是 。(填写阿拉伯数字即可)
下列关于半导体存储器叙述正确是 。
A、一般来说SRAM比DRAM的存取速度快。
B、UVEPROM与EEPROM都属于ROM。
C、UVEPROM一般用于存放数据。
D、SRAM一般用于监控程序。
无耗均匀微波短路线的输入阻抗在
A、线长 0 < l < λ/4 时,等效为一电感
B、线长 0 < l < λ/4 时,等效为一电容
C、线长λ/4 < l < λ/2 时,等效为一电感
D、线长λ/4 < l < λ/2 时,等效为一电容
用三个16位寄存器AR, BR和CR设计数字电路,执行下列操作: (a)传送两个16位带符号数(补码表示法)给AR和BR; (b)如果AR中的数值为负数,将其除以2,结果送给CR; (c)如果AR中的数值为非0的正数,讲BR中的数乘以2,结果送给CR; (d)如果AR中的数值为0,将CR清零; (e)写出并验证电路的行为模型。
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