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提问人:网友gzmeng
发布时间:2022-01-07
[主观题]
假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时,导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大,夹断点移向源极侧,沟道有效长度变短。
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考虑一个N沟道MOSFET,其,Vt=1V,以及W/L=10。求漏极电流: (1)且,则漏极电流ID=( )mA; (2)且,则漏极电流ID=( )mA;
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