下面关于MOSFET开启电压,说法正确的是_________。
A.增强型NMOSFET开启电压为负
B.耗尽型NMOSFET开启电压为正
C.增强型PMOSFET开启电压为负
D.耗尽型PMOSFET开启电压为正
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- · 有3位网友选择 B,占比27.27%
- · 有3位网友选择 D,占比27.27%
- · 有1位网友选择 C,占比9.09%
A.增强型NMOSFET开启电压为负
B.耗尽型NMOSFET开启电压为正
C.增强型PMOSFET开启电压为负
D.耗尽型PMOSFET开启电压为正
B、若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C、衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态
D、氧化层厚度增加,阈值电压增加
A. 由于实际中没有无穷大功率电源,实际电容两端的电压不能跃变
B. 由于实际中没有无穷大功率电源,实际电容两极板的电荷不能跃变
C. 由于实际中没有无穷大功率电源,实际电容上的电流不能跃变
D. 若电容C上的电压uC、电流iC的参考方向相同,则有关系式
A. 阳极过电压与电流密度没有关系;
B. Al2O3浓度影响阳极过电压;
C. 预焙槽阳极过电压为0.4—0.5V;
D. 预焙槽过电压大于自焙槽。
B、只有当电压是36伏时,人体接触电压才不会触电
C、某人接触到过220伏电压而没伤亡,因此该电压对于他来说总是安全的
D、只要有电流流过人体,就会发生触电事故
A、vGS=0,vDS=0时,沟道不存在,漏极电流iD=0
B、vGS=0,vDS=∣vP∣时,沟道夹断,漏极电流iD=0
C、vGS=0,vDS=∣vP∣时,沟道夹断,漏极电流饱和
D、vGS=0,vDS>∣vP∣时,沟道夹断,漏极电流iD继续增大
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