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提问人:网友kmyh8211 发布时间:2022-01-07
[单选题]

硅肖特基二极管的特点()

A.多子和少子同时参与导电

B.开关速度快

C.反向泄漏电流较PN结二极管大

D.不存在少子存储效应

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更多“硅肖特基二极管的特点()”相关的问题
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关于肖特基二极管的特点说法正确的是

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C、导通电压低

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第5题
肖特基二极管(sbd)比一般的半导体二极管特性好在()。
A、正向导通电压低

B、正向导通电压高

C、高频性能好,开关速度快

D、低频性能好,开关速度快

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第6题
开关时间(名词解释题)

开关时间

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第7题
肖特基二极管适合在低压高频环境下使用()

此题为判断题(对,错)。

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第8题
对于非理想的MIS结构,当半导体功函数小于金属功函数时,引起平带电压为( );当绝缘层中存在负电荷时,若电荷密度( ),或者电荷分布越( )金属一侧,平带电压的绝对值越大。

A、正值,越大,靠近

B、正值,越大,远离

C、正值,越小,靠近

D、正值,越小,远离

E、负值,越大,靠近

F、负值,越大,远离

G、负值,越小,靠近

H、负值,越小,远离

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第9题
P型半导体构成的MIS结构,若[图],假定绝缘层中无电荷且...

P型半导体构成的MIS结构,若,假定绝缘层中无电荷且不存在界面态时,则其平带电压( )。

A、

B、

C、

D、无法判断

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第10题
在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压,在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中,如半导体为P型,则在半导体的接触面上依次出现的状态为( )。

A、少数载流子反型状态,多数载流子耗尽状态,多数载流子堆积状态

B、多数载流子堆积状态,多数载流子耗尽状态,少数载流子反型状态

C、多数载流子耗尽状态,多数载流子堆积状态,少数载流子反型状态

D、少数载流子反型状态,多数载流子堆积状态,多数载流子耗尽状态

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