下面关于存储器的描述中,哪一个是正确的?()A.CPU访问存储器的时间是由存储体的容量决定的,存储容
下面关于存储器的描述中,哪一个是正确的?()
A.CPU访问存储器的时间是由存储体的容量决定的,存储容量越大,访问存储器的时间越长
B.随机半导体存储器中的任何一个单元地址都可以随机访问
C.ROM中的任何一个单元都不能随机访问
D.因为动态存储器是破坏性读出的,因此它有重写电路,对该地址读出后要重写
下面关于存储器的描述中,哪一个是正确的?()
A.CPU访问存储器的时间是由存储体的容量决定的,存储容量越大,访问存储器的时间越长
B.随机半导体存储器中的任何一个单元地址都可以随机访问
C.ROM中的任何一个单元都不能随机访问
D.因为动态存储器是破坏性读出的,因此它有重写电路,对该地址读出后要重写
A.它将方波信号转换成正弦波信号
B. 数字越大,模拟电压越大
C. 它是第一个从输出存储器接收数据的设备
D. 它产生DC电压信号
下面关于相关系数的陈述中哪一个是错误的()。
A.数值越大说明两个变量之间的关系就越强
B.仅仅是两个变量之间线性关系的一个度量,不能用于描述非线性关系
C.只是两个变量之间线性关系的一个度量,不一定意味着两个变量之间一定有因果关系
D.绝对值不会大于1
A.创新就是发明一个全新的事物
B.创新必须在拥有丰富知识的基础上才能进行
C.将两件平常的事物进行重组也可能是一种创新
D.创造出来的东西必须有实用价值才算真正的创新
下面关于操作风险与信用风险和市场风险的关系描述中,哪一个是正确的()。
A.操作风险与信用风险、市场风险是相互独立的,相互之间没有关系
B.信用风险损失可能由操作风险导致,但是市场风险损失不可能由操作风险导致
C.信用风险损失、市场风险损失都可能由操作风险导致
D.市场风险损失可能由操作风险导致,但是信用风险损失不可能由操作风险导致
下面关于制粒的描述哪一个是不正确的()
A、制粒的主要目的是改善流动性,防止各成分的离析,阻止粉尘飞扬
B、在湿法制粒中,随着液体量的增加,物料分别经过以下状态:悬摆状-索带状-毛细管状-泥浆状
C、流化床制粒可使混合、制粒、干燥在同一台设备中进行
D、喷雾制粒速度虽快,但所制得的粒子流动性差,不易分散
A.熵是为描述自发过程进行的方向而引入的,因此熵是过程量
B.熵增加原理表明,任何系统中一切 自发过程总是沿着熵增加的方向进行
C.熵是热力学系统无序性的量度
D.任何过程,熵变都可以用下式来计算:
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