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提问人:网友cnlovedmm 发布时间:2022-01-07
[单选题]

在离子注入掺杂时,有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离,这种现象就是 。当偏离晶向 ψc注入时,可以避免。

A.沟道效应,<

B.沟道效应,>

C.横向效应,<

D.横向效应,>

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更多“在离子注入掺杂时,有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离,这种现象就是 。当偏离晶向 ψc注入时,可以避免。”相关的问题
第1题
有一端封闭的长l=0.7m的细玻璃管竖直放置,开口端向上。今向其中注入水银。注入过程中,少许空气外逸。当管内水银柱高为h=0.2m时,水银面恰与管顶相齐。用手指将管口封住,将管轻轻倒转,再到竖直位置时,放开手指,这时有部分水银泄出。若空气温度不变,大气压为p=9.98×104Pa,问留在管内的水银柱的长度是多少?
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第2题
形成B的超浅结掺杂(剂量为QB)时,为了避免沟道效应可否先注入锑(剂量为QSb)再注入硼?实际注入了多少硼?

A、不可以

B、可以,实际注硼:QB+QSb

C、可以,实际注硼:QB-QSb

D、可以,实际注硼:QB

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第3题
基于LSS理论,判断对下图分析的对错: [图]A、该入射离...

基于LSS理论,判断对下图分析的对错:

A、该入射离子是低能注入;

B、该入射离子是高能注入;

C、入射离子在靶中由A运动到B主要受到靶原子核阻滞;

D、入射离子在靶中由A运动到B主要是受到靶电子阻滞;

E、入射离子在靶中由B运动到C主要受到靶原子核阻滞;

F、入射离子在靶中由B运动到C主要是受到靶电子阻滞。

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第4题
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确:

A、注入离子越轻,临界剂量越小;

B、靶温升高,临界剂量上升;

C、注入离子能量越高,临界剂量越低;

D、注入离子剂量率增大,临界剂量降低。

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第5题
离子注入硼无需退火就有电活性,所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。
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第6题
在p-Si中扩磷20分钟,测得结深为0.5μm,为使结深达到0.8μm,在原条件下还要扩散多长时间?

A、51.2min

B、31.2min

C、117min

D、104min

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第7题
锑在硅中的最大固溶度只有5*10的19次方原子/cm3,但某芯片埋层掺杂要求掺入锑最大浓度应达5*10的20次方原子/cm3,因此,采用 掺杂。
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第8题
在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧,氧化层厚0.2μm时,结深是多少?(湿氧速率很快, 短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)

A、0.088μm

B、0.712μm

C、0.512μm

D、0.6μm

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第9题
在Si中注入B+,能量为30KeV,剂量是10的12次方离子/cm2,查表可知Rp≈0.11μm, ΔRp=0.032μm,峰值浓度是1.25*10的16次方原子/cm3
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第10题
LPCVD-SiO2,将工艺控制在较高温度,有:ks>>hg,此时淀积速率的特点为:

A、温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响;

B、淀积速率受气相质量输运控制;

C、淀积速率受表面化学反应控制;

D、反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。

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