晶体管型、集成电路型、微机型保护装置只能以空接点或光耦输出。为提高抗干扰能力，是否允许用电缆芯线两端接地的方式替代电缆屏蔽层的两端接地？为什么？

A.机电型、晶体管型、整流型、集成电路型、微机型

B.机电型、整流型、集成电路型、晶体管型、微机型

C.机电型、整流型、晶体管型、集成电路型、微机型

我国继电保护技术发展过了五个阶段，其发展顺序是()。

A机电型晶体管型整流型集成电路型微机型

B机电型整流型集成电路型晶体管型微机型

C机电型整流型晶体管型集成电路型微机型

我国继电保护技术发展先后经历了五个阶段,其发展顺序依次是()。

A.机电型、晶体管型、整流型、集成电路型、微机型;

B.机电型、整流型、集成电路型、晶体管型、微机型;

C.机电型、整流型、晶体管型、集成电路型、微机型。

A.机电型

B. 整流型

C. 晶体管型

D. 集成电路型

E. 微机型

外部引入至集成电路型或微机型保护装置的空触点，进入保护后应经()。

A.电磁型继电保护

B. 计算机型（微机型）继电保护

C. 晶体管型（又称半导体型或分立元件型）继电保护

D. 集成电路型继电保护

A．机电型

B．整流型

C．晶体管型

D．集成电路型

E．微机型

集成电路型、微机型保护装置的电流、电压引入线应采用屏蔽电缆，同时()。

A、电缆的屏蔽层应在开关场可靠接地

B、电缆的屏蔽层应在控制室可靠接地

C、电缆的屏蔽层应在开关场和控制室两端可靠接地