题目内容
(请给出正确答案)
提问人:网友aa00xx
发布时间:2022-01-07
[单选题]
MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大,是由于什么原因引起的:()。
A.基区宽度调变效应
B.漏区静电场对沟道的反馈
C.有效沟道调制效应
D.阈电压的短沟道效应
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