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提问人：网友mpthink
发布时间：2022-01-07
[主观题]
在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
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什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响？
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