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提问人：网友instantwr
发布时间：2022-01-06
[判断题]
半导体中的电子数大于空穴数。
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A.N型半导体，自由电子数是远远大于空穴数的
B.N型半导体中，自由电子是多子
C.N型半导体中，空穴是多子
D.N型半导体中的空穴主要由热激发形成
式中：N为状态密度；k为玻尔兹曼常数；T为热力学温度，K。试回答 （1）设N=1023 cm-3，k=8.6×10-5 eV·K-1时，Si（Eg=1.1 eV）、TiO2（Eg=3.0 eV）在室温（20 ℃）和500 ℃时所激发的电子数各是多少？ （2）当电子和空穴同时为载流子时，半导体的电导率为
假设Si的迁移率μe=1 450 cm2·V-1·s-1，μh=500 cm2·V-1·s-1，且不随温度变化。求Si在20 ℃和500 ℃时的电导率。
