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提问人：网友xindongxi 发布时间：2022-01-07
[单选题]

场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时

A.耗尽型PMOS管，夹断电压VP为2V

B.P沟JFET管，夹断电压VP为2V

C.N沟JFET管，夹断电压VP为2V

D.增强型NMOS管，开启电压为2V

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更多“场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。 ”相关的问题
第1题
场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。

A、耗尽型NMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V

B、耗尽型PMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V

C、增强NMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V

D、增强PMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V

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第2题
由某场效应管的转移特性知，在vDS =10V保持不变的情况下，vGS 由-1V变化到-2V时，iD相应从2mA变化到0.8mA，则该管子的gm为______。

A、0.83mS

B、1.2mS

C、2 mS

D、-1.2 mS

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第3题
一个结型场效应管的转移特性曲线如图所示，则它是( )沟道的效应管。（填写N/P）
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第4题
某场效应管的转移特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。

A、为P沟道增强型MOS管，Up=1V

B、为N沟道耗尽型MOS管，UT=1V

C、为N沟道增强型MOS管，UT=1V

D、为P沟道结型场效应管，Up=1V

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第5题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。。

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第6题
已知某场效应管的输出特性曲线如图所示，与之对应的转移特性曲线是（ ）。

A、

B、

C、

D、

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第7题
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，U...

已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为（）。

A. 1mA/V

B. 0.5mA/V

C. -1mA/V

D. -0.5mA/V

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第8题
某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为：

A、P沟道结型管

B、N沟道结型管

C、耗尽型PMOS管

D、耗尽型NMOS管

E、增强型PMOS管

F、增强型NMOS管

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第9题
VGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有

A、N-JFET

B、P-JFET

C、增强型NMOS管

D、增强型PMOS管

E、耗尽型NMOS管

F、耗尽型PMOS管

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第10题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。

A、饱和区（恒流区、放大工作区）

B、可变电阻区

C、预夹断临界点

D、截止区

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