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提问人：网友chuichui 发布时间：2022-01-07

[主观题]

当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。

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第1题

当MOSFET栅极电压未达到阈值电压值时,流过漏极的电流为零。()

此题为判断题(对，错)。

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第2题

场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）

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第3题

当电流一定时，直流电压随电解液温度变化：温度高电压低，温度低电压高。

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第4题

【单选题】绝缘栅场效应管工作时的栅极电流（）。

A、较大

B、较小

C、为零

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第5题

当温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流会如何变化？（）

A、晶闸管的触发电流增加，反向漏电流减小

B、晶闸管的触发电流减小，反向漏电流增加

C、晶闸管的触发电流、反向漏电流保持不变

D、晶闸管的触发电流减小，反向漏电流减小

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第6题

引起MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而增大的原因是（）和漏区静电场对沟道的反馈作用。

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第7题

为定量分析MOSFET电流-电压特性,可以假定()。

A、漏区和源区的电压降可以忽略不计

B、沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多

C、在沟道内载流子的迁移率为常数

D、其他选项都正确

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第8题

当栅源电压为0时，管不可能工作在恒流区。

A、JFET

B、EMOS

C、DMOS

D、NMOS

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第9题

电感元件两端电压升高时,电压与电流方向相同。()

此题为判断题(对，错)。

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第10题

MOSFET的（）是输出特性曲线的斜率，（）是转移特性曲线的斜率。

A、漏源电导，跨导

B、跨导，漏源电导

C、漏源电阻，栅源电阻

D、漏源电阻，跨导

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